Սիլիկոնային վաֆլի ջերմային օքսիդի շերտը օքսիդային շերտ կամ սիլիցիումի շերտ է, որը ձևավորվում է սիլիցիումային վաֆլի մերկ մակերեսի վրա բարձր ջերմաստիճանի պայմաններում օքսիդացնող նյութով:Սիլիցիումի վաֆլի ջերմային օքսիդի շերտը սովորաբար աճեցվում է հորիզոնական խողովակային վառարանում, և աճի ջերմաստիճանի միջակայքը սովորաբար կազմում է 900 ° C ~ 1200 ° C, և կա աճի երկու եղանակ՝ «խոնավ օքսիդացում» և «չոր օքսիդացում»:Ջերմային օքսիդի շերտը «աճեցված» օքսիդի շերտ է, որն ունի ավելի բարձր միատարրություն և ավելի բարձր դիէլեկտրական ուժ, քան CVD-ի նստած օքսիդի շերտը:Ջերմային օքսիդի շերտը հիանալի դիէլեկտրական շերտ է որպես մեկուսիչ:Սիլիցիումի վրա հիմնված շատ սարքերում ջերմային օքսիդի շերտը կարևոր դեր է խաղում որպես դոպինգ արգելափակող շերտ և մակերեսային դիէլեկտրիկ:
Խորհուրդներ. Օքսիդացման տեսակը
1. Չոր օքսիդացում
Սիլիցիումը փոխազդում է թթվածնի հետ, իսկ օքսիդային շերտը շարժվում է դեպի բազալային շերտ։Չոր օքսիդացումն անհրաժեշտ է իրականացնել 850-ից 1200 ° C ջերմաստիճանում, իսկ աճի տեմպը ցածր է, որը կարող է օգտագործվել MOS մեկուսացման դարպասի աճի համար:Երբ պահանջվում է բարձրորակ, ծայրահեղ բարակ սիլիցիումի օքսիդի շերտ, չոր օքսիդացումը գերադասելի է թաց օքսիդացումից:
Չոր օքսիդացման հզորություն՝ 15nm~300nm (150A ~ 3000A)
2. Թաց օքսիդացում
Այս մեթոդը օգտագործում է ջրածնի և բարձր մաքրության թթվածնի խառնուրդը ~1000 ° C ջերմաստիճանում այրելու համար, այդպիսով առաջացնելով ջրային գոլորշի` ձևավորելով օքսիդ շերտ:Թեև թաց օքսիդացումը չի կարող արտադրել այնքան բարձրորակ օքսիդացման շերտ, որքան չոր օքսիդացումը, բայց բավական է օգտագործել որպես մեկուսացման գոտի, չոր օքսիդացման համեմատությամբ ակնհայտ առավելություն ունի այն, որ այն ունի աճի ավելի բարձր տեմպ:
Թաց օքսիդացման հզորություն՝ 50 նմ~ 15 մկմ (500Ա ~ 15 մկմ)
3. Չոր մեթոդ - թաց մեթոդ - չոր մեթոդ
Այս մեթոդով մաքուր չոր թթվածինը սկզբնական փուլում բաց է թողնվում օքսիդացման վառարան, ջրածինը ավելացվում է օքսիդացման կեսին, իսկ վերջում ջրածինը պահպանվում է մաքուր չոր թթվածնով օքսիդացումը շարունակելու համար՝ ձևավորելով ավելի խիտ օքսիդացման կառուցվածք, քան սովորական խոնավ օքսիդացման գործընթացը ջրի գոլորշու տեսքով:
4. TEOS օքսիդացում
| Օքսիդացման տեխնիկա | Թաց օքսիդացում կամ չոր օքսիդացում |
| Տրամագիծը | 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ |
| Օքսիդի հաստությունը | 100 Å ~ 15 մկմ |
| Հանդուրժողականություն | +/- 5% |
| Մակերեւույթ | Միակողմանի օքսիդացում (SSO) / Երկկողմանի օքսիդացում (DSO) |
| Հնոց | Հորիզոնական խողովակային վառարան |
| Գազ | Ջրածին և թթվածին գազ |
| Ջերմաստիճանը | 900℃ ~ 1200 ℃ |
| Refractive ինդեքս | 1.456 |
