Float Zone Wafer-ն աճեցվում է լողացող գոտու հալման մեթոդով (Float Zone melting մեթոդ), որը նաև հայտնի է որպես գոտի հալվող վաֆլի, FZ վաֆլի, որը բարձր մաքրության սիլիցիումի վաֆլի է, կարող է փոխարինել սիլիկոնային վաֆլիների մեկ բյուրեղյա ուղիղ գծված գործընթացը:CZ մեթոդով արտադրված վաֆլիների համեմատ՝ գոտիավորված վաֆլիներն ունեն բազմաթիվ առավելություններ, ինչպիսիք են՝ խառնարան չունենալը, արտադրության ցածր բեռը և հալման կետի սահմանափակումը, ինչը նրանց դարձնում է իդեալական այնպիսի ծրագրերի համար, ինչպիսիք են արևային մոդուլները, ռադիոհաղորդիչ սարքերը և ճշգրիտ էներգիայի սարքերը:FZ վաֆլիներում թթվածնի և ածխածնի խառնուրդների կոնցենտրացիան ցածր է, և ազոտը հատուկ ավելացվում է դրա մեխանիկական ուժը բարելավելու համար:
| Նյութ | Փաստարկ | Նմուշի հարցում |
| Քանակ: |
| 100 հատ |
| Աճի մեթոդ. | Լողացող գոտի | FZ |
| Տրամագիծը: | 50/75/100/150/200/300 մմ | 100 մմ |
| Տեսակ/Դոպանտ: | P-Type / N-Type / Ներքին | N-Type |
| Կողմնորոշում: | <1-0-0>/<1-1-0>/<1-1-1>或其它 | <100> |
| Դիմադրողականություն: | 100~30000 օհմ-սմ | 3000 օմ-սմ |
| Հաստությունը: | 275 um ~ 775 um | 500 մ |
| Ավարտել: | SSP/DSP | DSP |
| Բնակարաններ: | Չափ/Երկու ԿԻՍԱ ստանդարտ բնակարաններ | Խազ |
| BOW/WAP: | <10 մկմ | <40մմ |
| TTV: | <5 մկմ | <20մմ |
| Դասարան: | Prime / Test / Dummy | Պրայմ |
-
Կոռոզիակայուն սիլիցիումի նիտրիդ համակցված սի...
-
Գրաֆիտի սուլիչ սիլիցիումի կարբիդային ծածկույթով...
-
SiC ծածկույթի կրիչներ կիսահաղորդչային փորագրման համար
-
Տրամադրել առաջադեմ LMJ microjet տեխնոլոգիայի լազերային ...
-
Բարձր մաքրության քվարց բյուրեղյա նավը կարող է հարմարեցվել
-
Սիլիկոնային բարձր ջերմաստիճանի ջերմահաղորդականություն...