Սիլիցիումի նիտրիդով կապված սիլիցիումի կարբիդ
Si3N4 խճճված SiC կերամիկական հրակայուն նյութը, որը խառնվում է բարձր մաքուր SIC նուրբ փոշու և սիլիցիումի փոշու հետ, սայթաքումով ձուլման ընթացքից հետո, ռեակցիան սինթրվում է 1400~1500°C-ի տակ:Սինթրինգի ընթացքում, բարձր մաքուր ազոտը լցնելով վառարան, այնուհետև սիլիցիումը կփոխազդի ազոտի հետ և կառաջացնի Si3N4, ուստի Si3N4 կապակցված SiC նյութը կազմված է սիլիցիումի նիտրիդից (23%) և սիլիցիումի կարբիդից (75%) որպես հիմնական հումք։ խառնված օրգանական նյութի հետ և ձևավորվում է խառնուրդով, արտամղմամբ կամ լցնելով, այնուհետև պատրաստվում է չորացումից և ազոտացումից հետո:
Առանձնահատկություններ և առավելություններ:
1.Hբարձր ջերմաստիճանի հանդուրժողականություն
2. Բարձր ջերմային հաղորդունակություն և հարվածային դիմադրություն
3. Բարձր մեխանիկական ուժ և քայքայում դիմադրություն
4. Գերազանց էներգաարդյունավետություն և կոռոզիոն դիմադրություն
Մենք տրամադրում ենք բարձրորակ և ճշգրիտ մշակված NSiC կերամիկական բաղադրիչներ, որոնք մշակվում են
1.Սայթաքման ձուլում
2. Էքստրուդինգ
3. Uni Axial Pressing
4.Izostatic Pressing
Նյութի տվյալների թերթիկ
| > Քիմիական բաղադրություն | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Անվճար Սի | 0% | |
| Զանգվածային խտություն (գ/սմ3) | 2.70～2.80 | |
| Ակնհայտ ծակոտկենություն (%) | 12～15 | |
| Ճկման ուժը 20 ℃ (ՄՊա) | 180 թ～190 թ | |
| Ճկման ուժը 1200 ℃ (ՄՊա) | 207 | |
| Ճկման ուժը 1350 ℃ (ՄՊա) | 210 | |
| Սեղմման ուժը 20 ℃ (ՄՊա) | 580 թ | |
| Ջերմային հաղորդունակություն 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Ջերմային ընդարձակման գործակիցը 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4.70 | |
| Ջերմային ցնցումների դիմադրություն | Գերազանց | |
| Մաքս.ջերմաստիճան (℃) | 1600 թ | |
WeiTai Energy Technology Co., Ltd.-ն առաջադեմ կիսահաղորդչային կերամիկայի առաջատար մատակարարն է և միակ արտադրողը Չինաստանում, որը կարող է միաժամանակ ապահովել բարձր մաքրության սիլիցիումի կարբիդ կերամիկա (հատկապես վերաբյուրեղացված SiC) և CVD SiC ծածկույթ:Բացի այդ, մեր ընկերությունը հավատարիմ է նաև կերամիկական ոլորտներին, ինչպիսիք են կավահողը, ալյումինի նիտրիդը, ցիրկոնիան և սիլիցիումի նիտրիդը և այլն:
Մեր հիմնական արտադրանքը, այդ թվում՝ սիլիցիումի կարբիդի փորագրման սկավառակ, սիլիցիումի կարբիդային նավակի քարշակ, սիլիցիումի կարբիդի վաֆլի նավակ (ֆոտովոլտաիկ և կիսահաղորդչային), սիլիցիումի կարբիդային վառարանի խողովակ, սիլիցիումի կարբիդի կոնսերվատորի թիակ, սիլիցիումի կարբիդի ճարմանդներ, սիլիցիումի կարբիդային փնջեր, ինչպես նաև C ծածկույթ:Ապրանքները հիմնականում օգտագործվում են կիսահաղորդչային և ֆոտոգալվանային արդյունաբերություններում, ինչպիսիք են բյուրեղների աճի, էպիտաքսիայի, փորագրման, փաթեթավորման, ծածկույթի և դիֆուզիոն վառարանների սարքավորումները և այլն:
Մեր ընկերությունն ունի ամբողջական արտադրական սարքավորումներ, ինչպիսիք են կաղապարման, սինթերման, մշակման, ծածկույթի սարքավորումները և այլն, որոնք կարող են լրացնել արտադրանքի արտադրության բոլոր անհրաժեշտ օղակները և ունենալ արտադրանքի որակի ավելի բարձր վերահսկելիություն;Արտադրության օպտիմալ պլանը կարող է ընտրվել ըստ ապրանքի կարիքների, ինչը հանգեցնում է ավելի ցածր գնի և հաճախորդներին ավելի մրցունակ ապրանքների տրամադրմանը.Մենք կարող ենք ճկուն և արդյունավետ կերպով պլանավորել արտադրությունը՝ հիմնվելով պատվերի առաքման պահանջների վրա և առցանց պատվերի կառավարման համակարգերի հետ համատեղ՝ հաճախորդներին տրամադրելով ավելի արագ և երաշխավորված առաքման ժամանակ:
-
Տանտալի կարբիդի (TaC) ծածկույթներ՝ բարձր մաքրությամբ...
-
Կիսահաղորդչային սիլիցիումի կարբիդ բյուրեղյա նավակ...
-
Կարգավորելի սիլիցիումի կարբիդային նավակի կիսահաղորդիչ...
-
LMJ microjet լազերային տեխնոլոգիայի սարքավորում
-
Կապույտ/կանաչ լուսադիոդային էպիտաքսիա
-
Անհատականացված SiC կերամիկական էֆեկտոր կիսահաղորդչության համար...