Semicera-իSiC ափսեառաջադեմ արտադրանք է, որը պատրաստված է բարձր մաքրությունիցսիլիցիումի կարբիդ (SiC) նյութ, որը նախատեսված է կիսահաղորդչային արդյունաբերության համար։ Բարձր ջերմային հաղորդունակությամբ և գերազանց մեխանիկական հատկություններով այս SiC ափսեը կարող է կայունություն պահպանել բարձր ջերմաստիճանի և բարձր ճնշման միջավայրերում՝ ապահովելով, որ ձեր արտադրական գործընթացը սահուն է ընթանում:
Մեր SiC ափսեը օգտագործում է RBSiC (ռեակցիոն սինթրած սիլիցիումի կարբիդ) և SSiC (մեկ բյուրեղյա սիլիցիումի կարբիդ) նյութեր տարբեր կիրառական սցենարների համար, այդ թվում՝ICP փորագրումևվաֆլի կրող. Semicera-ի արտադրանքը խստորեն փորձարկված է բարձր մաքրության SiC-ի որակը ապահովելու համար՝ բավարարելու ձեր կարիքները բարձր արդյունավետության և հուսալիության համար:
Բացի այդ, Semicera-իSiC ափսենախագծված է որպես արդյունավետ վաֆլի կրող ևվաֆլի ընկալիչկիսահաղորդիչների արտադրության մի շարք գործընթացների համար: Անկախ նրանից, թե այն օգտագործվում է լազերների, օպտոէլեկտրոնային սարքերի կամ ուժային էլեկտրոնիկայի համար, Semicera-ի SiC Plate-ը կարող է գերազանց աջակցություն ապահովել և բարելավել արտադրության արդյունավետությունը:
Ընտրեք Semicera-ն, դուք կստանաք ոչ միայն բարձրորակ SiC Plate, այլև ոլորտի առաջատար տեխնոլոգիաներ և ծառայություններ: Մենք պարտավորվում ենք հաճախորդներին տրամադրել լավագույն լուծումները՝ օգնելու ձեր տեխնոլոգիական նորարարություններին և շուկայական մրցունակությանը:
-
Ջեռուցման տարրեր MOCVD սուբստրատի համար
-
Երկրորդ խաղակեսի մասեր էպիտաքսիայի ստորին հատվածների համար...
-
Պատվերով սիլիցիումի կարբիդի կիսահաղորդչային վաֆլի նավակ...
-
Կիսահաղորդչային երկրորդ կես մասեր էպիտաքսիալ համար
-
Բարձր ջերմաստիճանի SiC ծածկված էպիտաքսիալ ռեակտոր B...
-
Սիլիկոնային կարբիդ կերամիկական ծածկույթ