Տոների արտադրության մեջ օգտագործվող հումքը սովորաբար ներառում է փաթիլային գրաֆիտ, նավթային կոքս և միկրոբյուրեղային քարի թանաք:Որքան բարձր է գրաֆիտի մաքրությունը, այնքան բարձր է օգտագործման արժեքը:Գրաֆիտի մաքրման մեթոդները կարելի է բաժանել ֆիզիկական և քիմիական մեթոդների:Ֆիզիկական մաքրման մեթոդները ներառում են ֆլոտացիա և բարձր ջերմաստիճանի մաքրում, իսկ քիմիական մաքրման մեթոդները ներառում են թթու-բազային մեթոդը, հիդրոֆտորաթթվի մեթոդը և քլորիդի թրծման մեթոդը:
Դրանցից բարձր ջերմաստիճանի մաքրման մեթոդը կարող է օգտագործել գրաֆիտի հալման բարձր կետը (3773K) և եռման կետը՝ 4N5 և ավելի բարձր մաքրության հասնելու համար, որը ներառում է ցածր եռման կետով կեղտերի գոլորշիացում և արտանետում՝ նպատակին հասնելու համար։ մաքրում [6].Բարձր մաքրության տոնիկի հիմնական տեխնոլոգիան հետքի կեղտերի հեռացումն է:Քիմիական մաքրման և բարձր ջերմաստիճանի մաքրման բնութագրերի հետ միասին ընդունվում է եզակի հատվածային կոմպոզիտային բարձր ջերմաստիճան ջերմաքիմիական մաքրման գործընթաց՝ բարձր մաքրության տոներային նյութերի մաքրմանը հասնելու համար, և արտադրանքի մաքրությունը կարող է լինել ավելի քան 6N:
Արտադրանքի կատարումը և առանձնահատկությունները.
1, արտադրանքի մաքրությունը≥99,9999% (6N);
2, բարձր մաքրության ածխածնի փոշի կայունություն, գրաֆիտացման բարձր աստիճան, ավելի քիչ կեղտեր;
3, հատիկավորությունը և տեսակը կարող են հարմարեցվել ըստ օգտագործողների:
Ապրանքի հիմնական օգտագործումը.
■Բարձր մաքրության SiC փոշու և այլ պինդ ֆազային սինթետիկ կարբիդային նյութերի սինթեզ
■Աճեցրեք ադամանդները
■Նոր ջերմահաղորդական նյութեր էլեկտրոնային արտադրանքների համար
■Բարձրորակ լիթիումային մարտկոցի կաթոդ նյութ
■Թանկարժեք մետաղների միացությունները նույնպես հումք են
-
Սիլիկոնային կարբիդով պատված էպիտաքսիալ ռեակտորի տակառ
-
Բարձր ջերմաստիճանի և կոռոզիոն դիմացկուն LED Si...
-
Տակառային ռեակտոր հեղուկ փուլային էպիտաքսիայի համար
-
Հակաօքսիդացման բարձր մաքրության SiC պատված MOCVD սկուտեղ
-
Կիսահաղորդչային սիլիկոնային հիմքով GaN էպիտաքսիա
-
Semi-ceras Barrel Reactor. Empowering Semicondu...