Մեր ընկերությունը տրամադրում էSiC ծածկույթԳրաֆիտի, կերամիկայի և այլ նյութերի մակերևույթի ծառայությունները CVD մեթոդով, որպեսզի ածխածին և սիլիցիում պարունակող հատուկ գազերը կարողանան արձագանքել բարձր ջերմաստիճանում՝ ստանալով բարձր մաքրության Sic մոլեկուլներ, որոնք կարող են տեղակայվել ծածկված նյութերի մակերեսին՝ ձևավորելովSiC պաշտպանիչ շերտհամար epitaxy տակառ տեսակի hy pnotic.
Հիմնական հատկանիշները:
1. Բարձր մաքրության SiC պատված գրաֆիտ
2. Բարձր ջերմային դիմադրություն և ջերմային միատեսակություն
3. ԼավSiC բյուրեղյա պատվածհարթ մակերեսի համար
4. Բարձր դիմացկունություն քիմիական մաքրման դեմ
Հիմնական բնութագրերըCVD-SIC ծածկույթ
| SiC-CVD հատկություններ | ||
| Բյուրեղյա կառուցվածք | FCC β փուլ | |
| Խտություն | գ/սմ³ | 3.21 |
| Կարծրություն | Vickers կարծրություն | 2500 թ |
| Հացահատիկի չափը | մկմ | 2~10 |
| Քիմիական մաքրություն | % | 99.99995 |
| Ջերմային հզորություն | J·kg-1 ·K-1 | 640 թ |
| Սուբլիմացիայի ջերմաստիճանը | ℃ | 2700 թ |
| Ֆլեքսուրային ուժ | MPa (RT 4 միավոր) | 415 թ |
| Յանգի մոդուլը | Gpa (4 կետ թեքում, 1300℃) | 430 թ |
| Ջերմային ընդլայնում (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Ջերմային ջերմահաղորդություն | (W/mK) | 300 |
