Որպես հիմնական բաղադրիչներից մեկըMOCVD սարքավորումԳրաֆիտի հիմքը ենթաշերտի կրողն ու տաքացնող մարմինն է, որն ուղղակիորեն որոշում է թաղանթանյութի միատեսակությունն ու մաքրությունը, ուստի դրա որակն ուղղակիորեն ազդում է էպիտաքսիալ թերթի պատրաստման վրա և միևնույն ժամանակ՝ քանակի ավելացման հետ։ օգտագործումը և աշխատանքային պայմանների փոփոխությունը, այն շատ հեշտ է կրել, պատկանում է սպառվող նյութերին։
Չնայած գրաֆիտն ունի գերազանց ջերմային հաղորդունակություն և կայունություն, այն լավ առավելություն ունի որպես հիմնական բաղադրիչMOCVD սարքավորում, բայց արտադրական գործընթացում գրաֆիտը կոռոզիայի կենթարկի փոշին քայքայիչ գազերի և մետաղական օրգանական նյութերի մնացորդի պատճառով, և գրաֆիտի հիմքի ծառայության ժամկետը մեծապես կնվազի:Միևնույն ժամանակ, ընկնող գրաֆիտի փոշին կհանգեցնի չիպի աղտոտմանը:
Ծածկույթի տեխնոլոգիայի առաջացումը կարող է ապահովել մակերևույթի փոշու ամրացում, բարձրացնել ջերմային հաղորդունակությունը և հավասարեցնել ջերմության բաշխումը, որը դարձել է այս խնդիրը լուծելու հիմնական տեխնոլոգիան:Գրաֆիտի հիմքըMOCVD սարքավորումօգտագործման միջավայրը, գրաֆիտի հիմքի մակերեսային ծածկույթը պետք է համապատասխանի հետևյալ բնութագրերին.
(1) Գրաֆիտի հիմքը կարող է ամբողջությամբ փաթաթվել, և խտությունը լավ է, հակառակ դեպքում գրաֆիտի հիմքը հեշտ է կոռոզիայի ենթարկվել քայքայիչ գազի մեջ:
(2) Գրաֆիտի հիմքի հետ համակցված ուժը բարձր է՝ ապահովելու համար, որ ծածկույթը հեշտ չընկնի բարձր ջերմաստիճանի և ցածր ջերմաստիճանի մի քանի ցիկլերից հետո:
(3) Այն ունի լավ քիմիական կայունություն՝ բարձր ջերմաստիճանում և քայքայիչ մթնոլորտում ծածկույթի ձախողումից խուսափելու համար:
SiC-ն ունի կոռոզիոն դիմադրության, բարձր ջերմային հաղորդունակության, ջերմային ցնցումների դիմադրության և բարձր քիմիական կայունության առավելությունները և կարող է լավ աշխատել GaN էպիտաքսիալ մթնոլորտում:Բացի այդ, SiC-ի ջերմային ընդարձակման գործակիցը շատ քիչ է տարբերվում գրաֆիտից, ուստի SiC-ը նախընտրելի նյութն է գրաֆիտային հիմքի մակերեսային ծածկույթի համար:
Ներկայումս սովորական SiC-ը հիմնականում 3C, 4H և 6H տիպն է, և տարբեր բյուրեղային տեսակների SiC-ի օգտագործումը տարբեր է:Օրինակ, 4H-SiC-ը կարող է արտադրել բարձր հզորության սարքեր;6H-SiC-ն ամենակայունն է և կարող է արտադրել ֆոտոէլեկտրական սարքեր;GaN-ին նման կառուցվածքի պատճառով 3C-SiC-ը կարող է օգտագործվել GaN էպիտաքսիալ շերտ արտադրելու և SiC-GaN RF սարքեր արտադրելու համար:3C-SiC-ը նաև հայտնի է որպեսβ-SiC, և դրա կարևոր օգտագործումըβ-SiC-ը որպես թաղանթ և ծածկույթի նյութ է, ուստիβ-SiC-ը ներկայումս ծածկույթի հիմնական նյութն է:
Հրապարակման ժամանակը՝ նոյ-06-2023