SiC վաֆլի նավակ
Սիլիկոնային կարբիդ վաֆլի նավակՎաֆլիների համար կրող սարք է, որը հիմնականում օգտագործվում է արևային և կիսահաղորդչային դիֆուզիոն պրոցեսներում։ Այն ունի այնպիսի բնութագրեր, ինչպիսիք են մաշվածության դիմադրությունը, կոռոզիոն դիմադրությունը, բարձր ջերմաստիճանի ազդեցության դիմադրությունը, պլազմային ռմբակոծության դիմադրությունը, բարձր ջերմաստիճանի կրող հզորությունը, բարձր ջերմային հաղորդունակությունը, բարձր ջերմության ցրումը և երկարաժամկետ օգտագործումը, որը հեշտ չէ թեքել և դեֆորմացնել: Մեր ընկերությունը օգտագործում է բարձր մաքրության սիլիցիումի կարբիդային նյութ՝ ծառայության ժամկետն ապահովելու համար և տրամադրում է հարմարեցված ձևավորում, ներառյալ: տարբեր ուղղահայաց և հորիզոնականվաֆլի նավակ.
SiC թիակ
Այնսիլիցիումի կարբիդի կոնսերվային թիակհիմնականում օգտագործվում է սիլիցիումային վաֆլիների (դիֆուզիոն) ծածկույթում, որը վճռորոշ դեր է խաղում բարձր ջերմաստիճանում սիլիցիումային վաֆլիների բեռնման և փոխադրման գործում: Դա հիմնական բաղադրիչն էկիսահաղորդչային վաֆլիբեռնման համակարգեր և ունի հետևյալ հիմնական բնութագրերը.
1. Այն չի դեֆորմացվում բարձր ջերմաստիճանի միջավայրում և ունի բարձր բեռնման ուժ վաֆլիների վրա;
2. Այն դիմացկուն է ծայրահեղ ցրտին և արագ շոգին, ունի երկար սպասարկման ժամկետ;
3. Ջերմային ընդարձակման գործակիցը փոքր է, մեծապես ընդլայնելով պահպանման և մաքրման ցիկլը և զգալիորեն նվազեցնում է աղտոտիչները:
SiC վառարանի խողովակ
Սիլիցիումի կարբիդի պրոցեսի խողովակ, որը պատրաստված է բարձր մաքրության SiC-ից՝ առանց մետաղական կեղտերի, չի աղտոտում վաֆլը և հարմար է այնպիսի գործընթացների համար, ինչպիսիք են կիսահաղորդչային և ֆոտոգալվանային դիֆուզիոն, եռացման և օքսիդացման գործընթացները:
SiC Robot Arm
SiC ռոբոտի թեւ, որը նաև հայտնի է որպես վաֆլի փոխանցման վերջի էֆեկտոր, ռոբոտային թեւ է, որն օգտագործվում է կիսահաղորդչային վաֆլիներ տեղափոխելու համար և լայնորեն օգտագործվում է կիսահաղորդչային, օպտոէլեկտրոնային և արևային էներգիայի արդյունաբերություններում։ Օգտագործելով բարձր մաքրության սիլիցիումի կարբիդ, բարձր կարծրություն, մաշվածության դիմադրություն, սեյսմակայունություն, երկարաժամկետ օգտագործում առանց դեֆորմացիայի, երկար ծառայության ժամկետ և այլն, կարող է տրամադրել հարմարեցված ծառայություններ:
Գրաֆիտ բյուրեղների աճի համար
Գրաֆիտային ջերմային պաշտպանություն
Գրաֆիտային էլեկտրոդի խողովակ
Գրաֆիտի դեֆլեկտոր
Գրաֆիտի ճաք
Բոլոր գործընթացները, որոնք օգտագործվում են կիսահաղորդչային crvstals աճեցնելու համար, գործում են բարձր ջերմաստիճանի և քայքայիչ միջավայրերում: Բյուրեղների աճեցման վառարանի տաք գոտին սովորաբար օգտագործվում է ջերմակայուն և կոռոզիակայուն բարձր մաքրությամբ: Գրաֆիտի բաղադրամասեր, ինչպիսիք են գրաֆիտի ջեռուցիչները, խառնարանները, բալոնները, դեֆլեկտորը, ճարմանդները, խողովակները, օղակները, պահարանները, ընկույզները և այլն: Մեր պատրաստի արտադրանքը կարող է հասնել 5ppm-ից պակաս մոխրի պարունակության:
Գրաֆիտ կիսահաղորդչային էպիտաքսիայի համար
Գրաֆիտային բազա
Գրաֆիտ Epitaxial տակառ
Monocry Stalline Silicon Epitaxial Base
MOCVD Գրաֆիտի մասեր
Կիսահաղորդչային գրաֆիտի հարմարանք
Էպիտաքսիալ գործընթացը վերաբերում է մեկ բյուրեղյա նյութի աճին մեկ բյուրեղյա ենթաշերտի վրա նույն վանդակավոր դասավորությամբ, ինչ ենթաշերտը: Այն պահանջում է շատ գերբարձր մաքրության գրաֆիտի մասեր և գրաֆիտային հիմք SIC ծածկույթով: Բարձր մաքրության գրաֆիտը, որն օգտագործվում է կիսահաղորդչային էպիտաքսիայի համար, ունի կիրառությունների լայն շրջանակ, որը կարող է համապատասխանել արդյունաբերության մեջ ամենատարածված օգտագործվող սարքավորումներին, միևնույն ժամանակ, այն ունի չափազանց բարձր: մաքրություն, միասնական ծածկույթ, գերազանց ծառայության ժամկետ և չափազանց բարձր քիմիական դիմադրություն և ջերմային կայունություն:
Մեկուսիչ նյութ և այլն
Կիսահաղորդիչների արտադրության մեջ օգտագործվող ջերմամեկուսիչ նյութերն են՝ գրաֆիտի կարծր, փափուկ ֆետրը, գրաֆիտի փայլաթիթեղը, ածխածնային կոմպոզիտային նյութերը և այլն: ամբողջ. Ածխածնային կոմպոզիտային նյութը սովորաբար օգտագործվում է որպես արևային մոնոբյուրեղային և պոլիսիլիկոնային բջիջների արտադրության գործընթացի կրող: