4″ 6″ կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտ

Կարճ նկարագրություն.

Կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտերը բարձր դիմադրողականությամբ կիսահաղորդչային նյութ են, 100000Ω·սմ-ից բարձր դիմադրությամբ: Կիսամեկուսացնող SiC սուբստրատները հիմնականում օգտագործվում են միկրոալիքային ռադիոհաղորդումների արտադրության համար, ինչպիսիք են գալիումի նիտրիդը միկրոալիքային ռադիոհաղորդիչ սարքերը և բարձր էլեկտրոնների շարժունակության տրանզիստորները (HEMTs): Այս սարքերը հիմնականում օգտագործվում են 5G կապի, արբանյակային կապի, ռադարների և այլ ոլորտներում։

 

 


Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Semicera-ի 4" 6" կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտը բարձրորակ նյութ է, որը նախատեսված է ՌԴ և էլեկտրական սարքերի կիրառման խիստ պահանջներին համապատասխանելու համար: Ենթաշերտը համատեղում է սիլիցիումի կարբիդի գերազանց ջերմային հաղորդունակությունը և բարձր քայքայման լարումը կիսամեկուսացնող հատկությունների հետ՝ դարձնելով այն իդեալական ընտրություն առաջադեմ կիսահաղորդչային սարքերի մշակման համար:

4" 6" կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտը խնամքով պատրաստված է, որպեսզի ապահովի բարձր մաքրության նյութը և կայուն կիսամեկուսացնող աշխատանքը: Սա ապահովում է, որ ենթաշերտը ապահովում է անհրաժեշտ էլեկտրական մեկուսացումը ռադիոհաճախական սարքերում, ինչպիսիք են ուժեղացուցիչները և տրանզիստորները, միաժամանակ ապահովելով բարձր էներգիայի օգտագործման համար պահանջվող ջերմային արդյունավետությունը: Արդյունքը բազմակողմանի հիմք է, որը կարող է օգտագործվել բարձր արդյունավետությամբ էլեկտրոնային արտադրանքների լայն տեսականիում:

Semicera-ն գիտակցում է կիսահաղորդչային կրիտիկական կիրառությունների համար հուսալի, առանց թերությունների ենթաշերտերի ապահովման կարևորությունը: Մեր 4"6" կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտը արտադրվում է արտադրության առաջադեմ տեխնիկայի կիրառմամբ, որոնք նվազագույնի են հասցնում բյուրեղային թերությունները և բարելավում նյութի միատեսակությունը: Սա հնարավորություն է տալիս արտադրանքին աջակցել սարքերի արտադրությանը, որոնք ունեն բարձր արդյունավետություն, կայունություն և կյանքի տևողություն:

Semicera-ի հավատարմությունը որակին ապահովում է, որ մեր 4"6" կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտը ապահովում է հուսալի և հետևողական կատարում կիրառությունների լայն շրջանակում: Անկախ նրանից, թե դուք մշակում եք բարձր հաճախականությամբ սարքեր կամ էներգաարդյունավետ էներգիայի լուծումներ, մեր կիսամեկուսացնող SiC սուբստրատները հիմք են հանդիսանում հաջորդ սերնդի էլեկտրոնիկայի հաջողության համար:

Հիմնական պարամետրեր

Չափը

6 դյույմ 4 դյույմ
Տրամագիծը 150.0մմ+0մմ/-0.2մմ 100.0մմ+0մմ/-0.5մմ
Մակերեւութային կողմնորոշում {0001}±0,2°
Առաջնային հարթ կողմնորոշում / <1120>±5°
Երկրորդական հարթ կողմնորոշում / Սիլիկոնային երես դեպի վեր՝ 90° CW Prime flat-ից մինչև 5°
Առաջնային հարթ երկարություն / 32,5 մմ ~ 2,0 մմ
Երկրորդական հարթ երկարություն / 18,0 մմ և 2,0 մմ
Կտրուկ կողմնորոշում <1100>±1,0° /
Կտրուկ կողմնորոշում 1,0մմ+0,25մմ/-0,00մմ /
Անկյուն անկյուն 90°+5°/-1° /
Հաստություն 500,0 ում և 25,0 ում
Հաղորդող տեսակ Կիսամեկուսացնող

Բյուրեղային որակի տեղեկատվություն

ltem 6 դյույմ 4 դյույմ
Դիմադրողականություն ≥1E9Q·սմ
Պոլիտիպ Ոչ մեկը չի թույլատրվում
միկրոխողովակների խտություն ≤0,5/սմ2 ≤0.3/սմ2
Hex ափսեներ բարձր ինտենսիվության լույսով Ոչ մեկը չի թույլատրվում
Ածխածնի վիզուալ ընդգրկումները բարձր մակարդակով Կուտակային տարածք≤0,05%
4 6 Կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտ-2

Դիմադրողականություն – Ստուգված է ոչ կոնտակտային թերթիկի դիմադրությամբ:

4 6 Կիսամեկուսացնող SiC Substrate-3

միկրոխողովակների խտություն

4 6 Կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտ-4
SiC վաֆլիներ

  • Նախորդը:
  • Հաջորդը: