Տուն
Մեր մասին
Ապրանքներ
Կապ մեզ հետ
Առանձնահատկություն
ՀՏՀ-ներ
Նորություններ
- Ընկերության նորություններ
- Արդյունաբերության նորություններ

Տուն
Վաֆլի
SiC սուբստրատ

Կատեգորիաներ

CVD SiC ծածկույթ
CVD TaC ծածկույթ
Մակերեւութային մշակման տեխնոլոգիա
Սիլիկոնային կարբիդ կերամիկա
Կիսահաղորդչային քվարց
Կիսահաղորդչային գրաֆիտային արտադրանք
- Սիլիկոնացված գրաֆիտ
- Իզոստատիկ գրաֆիտի բաղադրիչներ
Ածխածնի մանրաթել
Վաֆլի
Ավելի շատ կերամիկական արտադրանք

Առաջարկվող ապրանքներ

Tantalum Carbide TaC CVD ծածկույթ Պատվերով մասեր
Տանտալի կարբիդով պատված օղակ
Բարձր ճշգրտության SiC կերամիկական էֆեկտոր
Սիլիցիումի կարբիդի կոնսերվային թիակ
Երկարատև ծառայության ժամկետ SiC ծածկված գրաֆիտ կրիչի համար…
Սիլիկոնային կարբիդով պատված գրաֆիտային գործիք, Epitaxy C-ի համար...
Հակաօքսիդացման բարձր մաքրության SiC պատված MOCVD սկուտեղ
SiC ծածկույթի տակառի կառուցվածքը տակառի սուսեպտորի համար
Կիսահաղորդչային երկրորդ կես մասեր էպիտաքսիալ համար

SiC սուբստրատ

6 lnch n-type sic substrate
2~6 դյույմ 4° անջատված P-տիպի 4H-SiC ենթաշերտ
4″ 6″ 8″ հաղորդիչ և կիսամեկուսացնող ենթաշերտեր
4″ 6″ կիսամեկուսացնող SiC ենթաշերտ
8lnch n-տիպի Conductive SiC Substrate
4″ 6″ բարձր մաքրության կիսամեկուսացնող SiC ձուլակտոր
4″6″ 8″ N-տիպի SiC ձուլակտոր
6 դյույմ N-տիպի SiC վաֆլի
P- տիպի SiC սուբստրատի վաֆլի
8 դյույմ N տիպի SiC վաֆլի
4 դյույմ N-տիպի SiC ենթաշերտ
6 դյույմ կիսամեկուսացնող HPSI SiC վաֆլի

1 2 Հաջորդը >>> Էջ 1/2

տեղեկատվություն

Ընկերության պրոֆիլը
Կապ մեզ հետ
Հավաստագրում և պատիվ
Ապրանքներ

նոր նամակագիր

Մեր ապրանքների կամ գնացուցակի վերաբերյալ հարցումների համար խնդրում ենք թողնել ձեր էլ. նամակը մեզ, և մենք կապ կհաստատենք 24 ժամվա ընթացքում:

Հարցում Գնացուցակի համար

մեր շփումը

86-13373889683
No. 777, Zhongguan West Road, Zhenhai District, Ningbo, Zhejiang, 315201, China
sales01@semi-cera.com

© Հեղինակային իրավունք - 2018-2027. Բոլոր իրավունքները պաշտպանված են:Կայքի քարտեզ
Si Վաֆեր, տանտալի կարբիդ, TaC ծածկույթ, SiC սուբստրատ, Էպի վաֆեր, Չինական գրաֆիտ ֆելտ և կոշտ ֆելտ,

Ուղարկել էլ