Մեր ընկերությունը տրամադրում էSiC ծածկույթԳրաֆիտի, կերամիկայի և այլ նյութերի մակերևույթի վրա CVD մեթոդով ծառայություններ մշակելը, որպեսզի ածխածին և սիլիցիում պարունակող հատուկ գազերը կարողանան արձագանքել բարձր ջերմաստիճանում՝ ստանալով բարձր մաքրության Sic մոլեկուլներ, որոնք կարող են տեղակայվել ծածկված նյութերի մակերեսին՝ ձևավորելովSiC պաշտպանիչ շերտհամար epitaxy տակառ տեսակի hy pnotic.
Հիմնական հատկանիշները.
1. Բարձր մաքրության SiC պատված գրաֆիտ
2. Բարձր ջերմային դիմադրություն և ջերմային միատեսակություն
3. ԼավSiC բյուրեղյա պատվածհարթ մակերեսի համար
4. Բարձր դիմացկունություն քիմիական մաքրման դեմ
Հիմնական բնութագրերըCVD-SIC ծածկույթ
| SiC-CVD հատկություններ | ||
| Բյուրեղյա կառուցվածք | FCC β փուլ | |
| Խտություն | գ/սմ³ | 3.21 |
| Կարծրություն | Vickers կարծրություն | 2500 թ |
| Հացահատիկի չափը | մկմ | 2~10 |
| Քիմիական մաքրություն | % | 99.99995 |
| Ջերմային հզորություն | J·kg-1 ·K-1 | 640 թ |
| Սուբլիմացիայի ջերմաստիճանը | ℃ | 2700 թ |
| Ֆլեքսուրային ուժ | MPa (RT 4 միավոր) | 415 թ |
| Յանգի մոդուլը | Gpa (4 կետ թեքում, 1300℃) | 430 թ |
| Ջերմային ընդլայնում (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Ջերմային հաղորդունակություն | (W/mK) | 300 |
-
Սիլիկոնային կարբիդ SiC ծածկված էպիտաքսիալ ռեակտոր Ba...
-
Գրաֆիտի ընկալիչներ սիլիցիումի կարբիդային շերտով...
-
Կիսահաղորդչային SiC պատված միաբյուրեղ սիլիկո...
-
Քառակուսի սիլիկոնային կարբիդ վաֆլի նավակ
-
Հակաօքսիդացման բարձր մաքրության SiC պատված MOCVD սկուտեղ
-
Սիլիկոնային կարբիդով պատված գրաֆիտ վաֆլի կրիչներ