Երկար ծառայության ժամկետ SiC ծածկված գրաֆիտ կրող Արևային վաֆլի համար

Երկար ծառայության ժամկետ SiC ծածկույթով գրաֆիտային կրիչ Արևային վաֆլի համար Հատկանշված պատկեր

Կարճ նկարագրություն.

Սիլիցիումի կարբիդը կերամիկայի նոր տեսակ է՝ բարձր գնով կատարողականությամբ և գերազանց նյութական հատկություններով: Շնորհիվ այնպիսի հատկանիշների, ինչպիսիք են բարձր ամրությունը և կարծրությունը, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրությունը, մեծ ջերմային հաղորդունակությունը և քիմիական կոռոզիոն դիմադրությունը, սիլիցիումի կարբիդը կարող է գրեթե դիմակայել բոլոր քիմիական միջավայրին: Հետևաբար, SiC-ը լայնորեն օգտագործվում է նավթի արդյունահանման, քիմիական, մեքենաշինական և օդային տարածքում, նույնիսկ միջուկային էներգիան և զինվորականները SIC-ի նկատմամբ ունեն իրենց հատուկ պահանջները: Որոշ սովորական կիրառություն, որը մենք կարող ենք առաջարկել, պոմպի, փականի և պաշտպանիչ զրահի և այլնի կնիքի օղակներն են:

Նամակ ուղարկեք մեզ

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Առավելությունները

Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն
Գերազանց կոռոզիոն դիմադրություն
Լավ քայքայում դիմադրություն
Ջերմային հաղորդունակության բարձր գործակից
Ինքնաքսայուղ, ցածր խտություն
Բարձր կարծրություն
Անհատականացված դիզայն.

Դիմումներ

- մաշվածության դիմացկուն դաշտ. թփեր, ափսե, ավազահանող վարդակ, ցիկլոնի երեսպատում, մանրացնող տակառ և այլն...
-Բարձր ջերմաստիճանի դաշտ. siC սալաքար, մարող վառարանի խողովակ, ճառագայթային խողովակ, խառնարան, ջեռուցման տարր, գլանափաթեթ, ճառագայթ, ջերմափոխանակիչ, սառը օդի խողովակ, այրիչի վարդակ, ջերմազույգի պաշտպանության խողովակ, SiC նավակ, վառարանի մեքենայի կառուցվածքը, սեթեր և այլն:
- Սիլիկոնային կարբիդ կիսահաղորդիչ. SiC վաֆլի նավակ, sic chuck, sic թիակ, sic ձայներիզ, sic դիֆուզիոն խողովակ, վաֆլի պատառաքաղ, ներծծող ափսե, ուղեցույց և այլն:
-Սիլիկոնային կարբիդային կնիքի դաշտ. բոլոր տեսակի կնքման օղակ, առանցքակալ, թփեր և այլն:
- Ֆոտովոլտային դաշտ. թիավարման թիակ, հղկման տակառ, սիլիցիումի կարբիդի գլան և այլն:
- Լիթիումի մարտկոցի դաշտ

ՎԱՖԵՐ (1)

ՎԱՖԵՐ (2)

SiC-ի ֆիզիկական հատկությունները

Սեփականություն	Արժեք	Մեթոդ
Խտություն	3.21 գ/ք	Լվացարան-բոց և հարթություն
Հատուկ ջերմություն	0,66 Ջ/գ °Կ	Իմպուլսային լազերային ֆլեշ
Ճկման ուժ	450 ՄՊա560 ՄՊա	4 կետի թեքում, RT4 կետի թեքում, 1300 °
Կոտրվածքի ամրություն	2,94 ՄՊա մ1/2	Միկրոինտացիա
Կարծրություն	2800 թ	Vicker's, 500 գ բեռ
Elastic ModulusYoung's Modulus	450 GPa430 GPa	4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C
Հացահատիկի չափը	2 - 10 մկմ	SEM

SiC-ի ջերմային հատկությունները

Ջերմային հաղորդունակություն	250 Վտ/մ °K	Լազերային ֆլեշ մեթոդ, RT
Ջերմային ընդլայնում (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Սենյակի ջերմաստիճանը մինչև 950 °C, սիլիցիումի դիլատոմետր

Տեխնիկական պարամետրեր

Նյութ	Միավոր	Տվյալներ
Նյութ	Միավոր	RBSiC (SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
SiC բովանդակություն	%	85	75	99	99.9	≥99
Ազատ սիլիցիումի պարունակություն	%	15	0	0	0	0
Ծառայության առավելագույն ջերմաստիճանը	℃	1380 թ	1450 թ	1650 թ	1620 թ	1400 թ
Խտություն	գ/սմ³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2.65-2.75	2,75-2,85
Բաց ծակոտկենություն	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Ճկման ուժ 20℃	Мpa	250	160	380 թ	100	/
Ճկման ուժ 1200℃	Мpa	280 թ	180 թ	400	120	/
Էլաստիկության մոդուլը 20℃	Gpa	330 թ	580 թ	420 թ	240	/
Էլաստիկության մոդուլը 1200℃	Gpa	300	/	/	200 թ	/
Ջերմահաղորդականություն 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120 թթ	36.6	/
Ջերմային ընդարձակման գործակիցը	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	կգ/մ^m2	2115 թ	/	2800 թ	/	/

CVD սիլիցիումի կարբիդային ծածկույթը վերաբյուրեղացված սիլիցիումի կարբիդի կերամիկական արտադրանքի արտաքին մակերեսի վրա կարող է հասնել ավելի քան 99,9999% մաքրության՝ կիսահաղորդչային արդյունաբերության հաճախորդների կարիքները բավարարելու համար: