Առավելությունները
Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն
Գերազանց կոռոզիոն դիմադրություն
Լավ քայքայում դիմադրություն
Ջերմային հաղորդունակության բարձր գործակից
Ինքնաքսայուղ, ցածր խտություն
Բարձր կարծրություն
Անհատականացված դիզայն.
Դիմումներ
- մաշվածության դիմացկուն դաշտ. թփեր, ափսե, ավազահանող վարդակ, ցիկլոնի երեսպատում, մանրացնող տակառ և այլն...
-Բարձր ջերմաստիճանի դաշտ. siC սալաքար, մարող վառարանի խողովակ, ճառագայթային խողովակ, խառնարան, ջեռուցման տարր, գլանափաթեթ, ճառագայթ, ջերմափոխանակիչ, սառը օդի խողովակ, այրիչի վարդակ, ջերմազույգի պաշտպանության խողովակ, SiC նավակ, վառարանի մեքենայի կառուցվածքը, սեթեր և այլն:
- Սիլիկոնային կարբիդ կիսահաղորդիչ. SiC վաֆլի նավակ, sic chuck, sic թիակ, sic ձայներիզ, sic դիֆուզիոն խողովակ, վաֆլի պատառաքաղ, ներծծող ափսե, ուղեցույց և այլն:
-Սիլիկոնային կարբիդի կնիքի դաշտ. բոլոր տեսակի կնքման օղակ, առանցքակալ, թփեր և այլն:
- Ֆոտովոլտային դաշտ. թիավարման թիակ, հղկող տակառ, սիլիցիումի կարբիդ գլանափաթեթ և այլն:
- Լիթիումի մարտկոցի դաշտ
SiC-ի ֆիզիկական հատկությունները
| Սեփականություն | Արժեք | Մեթոդ |
| Խտություն | 3,21 գ/ք | Լվացարան-բոց և հարթություն |
| Հատուկ ջերմություն | 0,66 Ջ/գ °Կ | Իմպուլսային լազերային ֆլեշ |
| Ճկման ուժ | 450 ՄՊա560 ՄՊա | 4 կետի թեքում, RT4 կետի թեքում, 1300 ° |
| Կոտրվածքի ամրություն | 2,94 ՄՊա մ1/2 | Միկրոինտացիա |
| Կարծրություն | 2800 թ | Vicker's, 500 գ բեռ |
| Elastic ModulusYoung's Modulus | 450 GPa430 GPa | 4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C |
| Հացահատիկի չափը | 2 - 10 մկմ | SEM |
SiC-ի ջերմային հատկությունները
| Ջերմային հաղորդունակություն | 250 Վտ/մ °K | Լազերային ֆլեշ մեթոդ, RT |
| Ջերմային ընդլայնում (CTE) | 4,5 x 10-6 °K | Սենյակի ջերմաստիճանը մինչև 950 °C, սիլիցիումի դիլատոմետր |
Տեխնիկական պարամետրեր
| Նյութ | Միավոր | Տվյալներ | ||||
| RBSiC (SiSiC) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| SiC բովանդակություն | % | 85 | 75 | 99 | 99.9 | ≥99 |
| Ազատ սիլիցիումի պարունակություն | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Ծառայության առավելագույն ջերմաստիճանը | ℃ | 1380 թ | 1450 թ | 1650 թ | 1620 թ | 1400 թ |
| Խտություն | գ/սմ3 | 3.02 | 2,75-2,85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2,75-2,85 |
| Բաց ծակոտկենություն | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Ճկման ուժ 20℃ | Мpa | 250 | 160 | 380 թ | 100 | / |
| Ճկման ուժ 1200℃ | Мpa | 280 թ | 180 թ | 400 | 120 | / |
| Էլաստիկության մոդուլը 20℃ | Gpa | 330 թ | 580 թ | 420 թ | 240 | / |
| Էլաստիկության մոդուլը 1200℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 թ | / |
| Ջերմահաղորդականություն 1200℃ | W/mK | 45 | 19.6 | 100-120 թթ | 36.6 | / |
| Ջերմային ընդարձակման գործակիցը | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | կգ/մm2 | 2115 թ | / | 2800 թ | / | / |
CVD սիլիցիումի կարբիդային ծածկույթը վերաբյուրեղացված սիլիցիումի կարբիդի կերամիկական արտադրանքի արտաքին մակերեսի վրա կարող է հասնել ավելի քան 99,9999% մաքրության՝ կիսահաղորդչային արդյունաբերության հաճախորդների կարիքները բավարարելու համար:
