Semicera-ն տրամադրում է մասնագիտացված տանտալ կարբիդի (TaC) ծածկույթներ տարբեր բաղադրիչների և կրիչների համար:Semicera առաջատար ծածկույթի գործընթացը հնարավորություն է տալիս տանտալի կարբիդի (TaC) ծածկույթներին հասնել բարձր մաքրության, բարձր ջերմաստիճանի կայունության և բարձր քիմիական հանդուրժողականության՝ բարելավելով SIC/GAN բյուրեղների և EPI շերտերի արտադրանքի որակը (Գրաֆիտով պատված TaC ընկալիչ), և երկարացնելով ռեակտորի հիմնական բաղադրիչների կյանքը: Տանտալի կարբիդի TaC ծածկույթի օգտագործումը եզրային խնդիրը լուծելու և բյուրեղների աճի որակը բարելավելու համար է, իսկ Semicera Semicera-ն բեկումնային լուծում է գտել տանտալի կարբիդի ծածկույթի տեխնոլոգիան (CVD)՝ հասնելով միջազգային առաջադեմ մակարդակի:
Տարիների զարգացումից հետո Semicera-ն նվաճեց տեխնոլոգիանCVD TaCգիտահետազոտական բաժնի համատեղ ջանքերով։ SiC վաֆլիների աճի գործընթացում թերությունները հեշտ են առաջանում, բայց օգտագործելուց հետոTaC, տարբերությունը զգալի է։ Ստորև ներկայացված է վաֆլիների համեմատությունը TaC-ով և առանց TaC-ով, ինչպես նաև Simicera' մասերի մեկ բյուրեղային աճի համար
TaC-ով և առանց դրա
TaC-ն օգտագործելուց հետո (աջ)
Բացի այդ, Semicera-ի TaC ծածկույթի արտադրանքի ծառայության ժամկետն ավելի երկար է և ավելի դիմացկուն բարձր ջերմաստիճանի նկատմամբ, քան SiC ծածկույթը: Երկար ժամանակ լաբորատոր չափումների տվյալներից հետո մեր TaC-ը կարող է երկար ժամանակ աշխատել առավելագույնը 2300 աստիճան Ցելսիուսի պայմաններում: Ստորև բերված են մեր նմուշներից մի քանիսը.
(ա) SiC միաբյուրեղային ձուլակտորների աճեցման սարքի սխեմատիկ դիագրամ PVT մեթոդով (բ) վերին TaC ծածկված սերմերի բրա (ներառյալ SiC սերմը) (գ) TAC ծածկված գրաֆիտի ուղեցույց օղակ
