Բարձր մաքրության SiC փոշի

Կարճ նկարագրություն.

Բարձր մաքրության SiC փոշի Semicera-ի կողմից պարծենում է բացառիկ բարձր ածխածնի և սիլիցիումի պարունակությամբ՝ մաքրության մակարդակները տատանվում են 4N-ից մինչև 6N: Նանոմետրից մինչև միկրոմետր մասնիկների չափերով այն ունի մեծ հատուկ մակերես: Semicera-ի SiC փոշին ուժեղացնում է ռեակտիվությունը, ցրվածությունը և մակերեսային ակտիվությունը՝ իդեալական առաջադեմ նյութերի կիրառման համար:

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Սիլիցիումի կարբիդ (SiC)արագորեն դառնում է նախընտրելի ընտրություն, քան սիլիցիումը՝ էլեկտրոնային բաղադրիչների համար, հատկապես լայն բացվածքով կիրառություններում: SiC-ն առաջարկում է էներգաարդյունավետության բարձրացում, կոմպակտ չափսեր, կրճատված քաշ և ավելի ցածր ընդհանուր համակարգի ծախսեր:

 Էլեկտրոնիկայի և կիսահաղորդչային արդյունաբերության մեջ բարձր մաքրության SiC փոշիների պահանջարկը ստիպել է Semicera-ին մշակել բարձր մաքրության բարձրորակSiC փոշի. Semicera-ի նորարարական մեթոդը՝ բարձր մաքրության SiC արտադրելու համար, հանգեցնում է փոշիների, որոնք ցույց են տալիս ավելի հարթ ձևաբանական փոփոխություններ, ավելի դանդաղ նյութի սպառում և ավելի կայուն աճի միջերեսներ բյուրեղների աճի կարգավորումներում:

 Մեր բարձր մաքրության SiC փոշին հասանելի է տարբեր չափերի և կարող է հարմարեցվել՝ բավարարելու հաճախորդի հատուկ պահանջները: Լրացուցիչ մանրամասների և ձեր նախագիծը քննարկելու համար դիմեք Semicera-ին:

 

1. Մասնիկների չափի միջակայք.

Ծածկելով ենթամիկրոնից միլիմետր սանդղակները:

սիլիցիումի կարբիդի հզորություն_Semicera-1
սիլիցիումի կարբիդ հզորություն_Semicera-3
սիլիցիումի կարբիդի հզորություն_Semicera-2
սիլիցիումի կարբիդ հզորություն_Semicera-4

2. Փոշու մաքրություն

սիլիցիումի կարբիդի հզորության մաքրություն_Semicera1
սիլիցիումի կարբիդի հզորության մաքրություն_Semicera2

4N թեստավորման հաշվետվություն

3. Փոշի բյուրեղներ

Ծածկելով ենթամիկրոնից միլիմետր սանդղակները:

սիլիցիումի կարբիդ հզորություն_Semicera-5
սիլիցիումի կարբիդ հզորություն_Semicera-6

4. Միկրոսկոպիկ մորֆոլոգիա

3
4

5. Մակրոսկոպիկ մորֆոլոգիա

5

  • Նախորդը:
  • Հաջորդը: