English

Չինաստան Նոր արտադրանք Radiant Surface Element 230mm 2100W 230V Ceramic Heating Element

Չինաստանի նոր արտադրանք Radiant Surface Element 230mm 2100W 230V Ceramic Heating Element Featured Image
  • Չինաստան Նոր արտադրանք Radiant Surface Element 230mm 2100W 230V Ceramic Heating Element

Կարճ նկարագրություն.

Սիլիցիումի կարբիդը կերամիկայի նոր տեսակ է՝ բարձր գնով կատարողականությամբ և գերազանց նյութական հատկություններով: Շնորհիվ այնպիսի հատկանիշների, ինչպիսիք են բարձր ամրությունը և կարծրությունը, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրությունը, մեծ ջերմային հաղորդունակությունը և քիմիական կոռոզիոն դիմադրությունը, սիլիցիումի կարբիդը կարող է գրեթե դիմակայել բոլոր քիմիական միջավայրին: Հետևաբար, SiC-ը լայնորեն օգտագործվում է նավթի արդյունահանման, քիմիական, մեքենաշինական և օդային տարածքում, նույնիսկ միջուկային էներգիան և զինվորականները SIC-ի նկատմամբ ունեն իրենց հատուկ պահանջները: Որոշ սովորական կիրառություն, որը մենք կարող ենք առաջարկել, պոմպի, փականի և պաշտպանիչ զրահի և այլնի կնիքի օղակներն են:


Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Յուրաքանչյուր անհատ անդամ մեր մեծ կատարողական եկամուտների անձնակազմից գնահատում է հաճախորդների պահանջները և կազմակերպության հաղորդակցությունը Չինաստանի համար Նոր արտադրանքի ճառագայթային մակերեսային տարր 230 մմ 2100 Վտ 230 Վ Կերամիկական ջեռուցման տարր, Մենք համարում ենք բարձր որակի ավելին, քան քանակին: Մազերի արտահանումից առաջ բուժման ընթացքում կատարվում է որակի խիստ հսկողություն՝ համաձայն միջազգային գերազանց ստանդարտների:
Մեր մեծ կատարողական եկամուտների անձնակազմի յուրաքանչյուր անդամ գնահատում է հաճախորդների պահանջները և կազմակերպության հաղորդակցությունըChina Ceramic and RadiantՄեր ընկերությունը պնդում է «Առաջին հերթին որակը, կայուն զարգացումը» սկզբունքը և ընդունում է «Ազնիվ բիզնեսը, փոխադարձ օգուտները» որպես մեր զարգացման նպատակ: Բոլոր անդամներն անկեղծորեն շնորհակալություն են հայտնում բոլոր հին և նոր հաճախորդների աջակցությանը: Մենք կշարունակենք քրտնաջան աշխատել և առաջարկել ձեզ ամենաբարձր որակի ապրանքներն ու ծառայությունները:


Առավելությունները

Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն
Գերազանց կոռոզիոն դիմադրություն
Լավ քայքայում դիմադրություն
Ջերմային հաղորդունակության բարձր գործակից
Ինքնաքսայուղ, ցածր խտություն
Բարձր կարծրություն
Անհատականացված դիզայն.

HGF (2)
HGF (1)

Դիմումներ

- մաշվածության դիմացկուն դաշտ. թփեր, ափսե, ավազահանող վարդակ, ցիկլոնային երեսպատում, մանրացնող տակառ և այլն…
-Բարձր ջերմաստիճանի դաշտ. siC սալաքար, մարող վառարանի խողովակ, ճառագայթային խողովակ, խառնարան, ջեռուցման տարր, գլանափաթեթ, ճառագայթ, ջերմափոխանակիչ, սառը օդի խողովակ, այրիչի վարդակ, ջերմազույգի պաշտպանության խողովակ, SiC նավակ, վառարանի մեքենայի կառուցվածքը, սեթեր և այլն:
- Սիլիկոնային կարբիդ կիսահաղորդիչ. SiC վաֆլի նավակ, sic chuck, sic թիակ, sic ձայներիզ, sic դիֆուզիոն խողովակ, վաֆլի պատառաքաղ, ներծծող ափսե, ուղեցույց և այլն:
-Սիլիկոնային կարբիդի կնիքի դաշտ. բոլոր տեսակի կնքման օղակ, առանցքակալ, թփեր և այլն:
- Ֆոտովոլտային դաշտ. թիավարման թիակ, հղկող տակառ, սիլիցիումի կարբիդ գլանափաթեթ և այլն:
- Լիթիումի մարտկոցի դաշտ

ՎԱՖԵՐ (1)

ՎԱՖԵՐ (2)

SiC-ի ֆիզիկական հատկությունները

Սեփականություն Արժեք Մեթոդ
Խտություն 3,21 գ/ք Լվացարան-բոց և հարթություն
Հատուկ ջերմություն 0,66 Ջ/գ °Կ Իմպուլսային լազերային ֆլեշ
Ճկման ուժ 450 ՄՊա560 ՄՊա 4 կետի թեքում, RT4 կետի թեքում, 1300 °
Կոտրվածքի ամրություն 2,94 ՄՊա մ1/2 Միկրոինտացիա
Կարծրություն 2800 թ Vicker's, 500 գ բեռ
Elastic ModulusYoung's Modulus 450 GPa430 GPa 4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C
Հացահատիկի չափը 2 - 10 մկմ SEM

SiC-ի ջերմային հատկությունները

Ջերմային հաղորդունակություն 250 Վտ/մ °K Լազերային ֆլեշ մեթոդ, RT
Ջերմային ընդլայնում (CTE) 4,5 x 10-6 °K Սենյակի ջերմաստիճանը մինչև 950 °C, սիլիցիումի դիլատոմետր

Տեխնիկական պարամետրեր

Նյութ Միավոր Տվյալներ
RBSiC (SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
SiC բովանդակություն % 85 75 99 99.9 ≥99
Ազատ սիլիցիումի պարունակություն % 15 0 0 0 0
Ծառայության առավելագույն ջերմաստիճանը ℃ 1380 թ 1450 թ 1650 թ 1620 թ 1400 թ
Խտություն գ/սմ3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2.65-2.75 2,75-2,85
Բաց ծակոտկենություն % 0 13-15 0 15-18 7-8
Ճկման ուժ 20℃ Мpa 250 160 380 թ 100 /
Ճկման ուժ 1200℃ Мpa 280 թ 180 թ 400 120 /
Էլաստիկության մոդուլը 20℃ Gpa 330 թ 580 թ 420 թ 240 /
Էլաստիկության մոդուլը 1200℃ Gpa 300 / / 200 թ /
Ջերմահաղորդականություն 1200℃ W/mK 45 19.6 100-120 թթ 36.6 /
Ջերմային ընդարձակման գործակիցը K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV կգ/մm2 2115 թ / 2800 թ / /

CVD սիլիցիումի կարբիդային ծածկույթը վերաբյուրեղացված սիլիցիումի կարբիդի կերամիկական արտադրանքի արտաքին մակերեսի վրա կարող է հասնել ավելի քան 99,9999% մաքրության՝ կիսահաղորդչային արդյունաբերության հաճախորդների կարիքները բավարարելու համար:

Նկարներ

ՎԱՖԵՐ (3)

ՎԱՖԵՐ (4)

ՎԱՖԵՐ (5) ՎԱՖԵՐ (6)

Յուրաքանչյուր անհատ անդամ մեր մեծ կատարողական եկամուտների անձնակազմից գնահատում է հաճախորդների պահանջները և կազմակերպության հաղորդակցությունը Չինաստանի համար Նոր արտադրանքի ճառագայթային մակերեսային տարր 230 մմ 2100 Վտ 230 Վ Կերամիկական ջեռուցման տարր, Մենք համարում ենք բարձր որակի ավելին, քան քանակին: Մազերի արտահանումից առաջ բուժման ընթացքում կատարվում է որակի խիստ հսկողություն՝ համաձայն միջազգային գերազանց ստանդարտների:
Չինաստանի նոր արտադրանքChina Ceramic and RadiantՄեր ընկերությունը պնդում է «Առաջին հերթին որակը, կայուն զարգացումը» սկզբունքը և ընդունում է «Ազնիվ բիզնեսը, փոխադարձ օգուտները» որպես մեր զարգացման նպատակ: Բոլոր անդամներն անկեղծորեն շնորհակալություն են հայտնում բոլոր հին և նոր հաճախորդների աջակցությանը: Մենք կշարունակենք քրտնաջան աշխատել և առաջարկել ձեզ ամենաբարձր որակի ապրանքներն ու ծառայությունները:

  • Նախորդը:
  • Հաջորդը:

    • ՀԱՐԱԿԻՑ ԱՊՐԱՆՔՆԵՐ