Սիլիցիումի նիտրիդով կապված սիլիցիումի կարբիդ
Si3N4 խճճված SiC կերամիկական հրակայուն նյութը, որը խառնվում է բարձր մաքուր SIC նուրբ փոշու և սիլիցիումի փոշու հետ, սայթաքման ձուլման ընթացքից հետո, ռեակցիան սինթրվում է 1400~1500°C-ի տակ:Սինտերման ընթացքի ընթացքում, բարձր մաքուր ազոտը լցնելով վառարան, այնուհետև սիլիցիումը կփոխազդի ազոտի հետ և կառաջացնի Si3N4, հետևաբար Si3N4 կապակցված SiC նյութը կազմված է սիլիցիումի նիտրիդից (23%) և սիլիցիումի կարբիդից (75%) որպես հիմնական հումք։ խառնված օրգանական նյութի հետ և ձևավորվում է խառնուրդով, արտամղմամբ կամ լցնելով, այնուհետև պատրաստվում է չորացումից և ազոտացումից հետո:
Առանձնահատկություններ և առավելություններ:
1.Hբարձր ջերմաստիճանի հանդուրժողականություն
2. Բարձր ջերմային հաղորդունակություն և հարվածային դիմադրություն
3. Բարձր մեխանիկական ուժ և քայքայում դիմադրություն
4. Գերազանց էներգաարդյունավետություն և կոռոզիոն դիմադրություն
Մենք տրամադրում ենք բարձրորակ և ճշգրիտ մշակված NSiC կերամիկական բաղադրիչներ, որոնք մշակվում են
1.Սայթաքման ձուլում
2. Էքստրուդինգ
3. Uni Axial Pressing
4.Izostatic Pressing
Նյութի տվյալների թերթիկ
> Քիմիական բաղադրություն | Sic | 75% |
Si3N4 | ≥23% | |
Անվճար Սի | 0% | |
Զանգվածային խտություն (գ/սմ3) | 2.70~2.80 | |
Ակնհայտ ծակոտկենություն (%) | 12~15 | |
Ճկման ուժը 20 ℃ (ՄՊա) | 180 թ~190 թ | |
Ճկման ուժը 1200 ℃ (ՄՊա) | 207 | |
Ճկման ուժը 1350 ℃ (ՄՊա) | 210 | |
Սեղմման ուժը 20 ℃ (ՄՊա) | 580 թ | |
Ջերմային հաղորդունակություն 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
Ջերմային ընդարձակման գործակիցը 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4.70 | |
Ջերմային ցնցումների դիմադրություն | Գերազանց | |
Մաքս.ջերմաստիճան (℃) | 1600 թ |